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薄膜集成电路工艺

整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。

厚膜集成电路工艺

用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。淀积过程是使用一细目丝网，制作各种膜的图案。这种图案用照相方法制成，凡是不淀积涂料的地方，均用乳胶阻住网孔。氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。制件经干燥后，在750~950℃间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂，陶瓷加热片线性，烧结导体材料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。厚膜电路的膜层厚度一般为 7~40微米。用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便，多层工艺相容性好，可以大大提高二次集成的组装密度。此外，等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用，实际上也是采用混合工艺。

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当传感器在被测压力的作用下，膜片即产生弹性位移，经传动机构传递，放大，使电刷在电位计上相应滑行，从而将压力转换成为电阻信号输出。体积小，重量轻，过载能力大，输出信号大，抗振动性能好，在较恶劣的工作环境下，工作可靠性高，使用方便，能作遥测及远距离传输。电位计式小型压力传感器可用于测量对4Cr13不锈钢不起腐蚀作用的液体，气体等介质的压力。